Накопители, модули памяти для ПК. Карты памяти. Новости.

[Administrator]

[shadow=blue]G.SKILL представила комплект памяти DDR4-4333 для мощных ПК[/shadow]
Компания G.SKILL анонсировала «экстремальный» комплект оперативной памяти DDR4-4333, вошедший в семейство изделий под названием Trident Z.
Посмотреть вложение 1
Модули функционируют на частоте 4333 МГц при напряжении 1,4 В. Тайминги — CL19-19-19-39. Набор включает два модуля ёмкостью 8 Гбайт, что в сумме даёт 16 Гбайт высокоскоростной оперативной памяти. Утверждается, что это первый на рынке комплект DDR4 с подобными характеристиками.
Память предназначена для использования в мощных игровых компьютерах, а также в системах для энтузиастов. Цена и сроки начала продаж не раскрываются.

Кроме того, компания G.SKILL сообщила о проведении успешного тестирования памяти DDR4 на частоте 4500 МГц. Эксперимент проводился на платформе с материнской платой ASUS ROG Maximus IX Apex и процессором Intel Core i5-7600K (Core седьмого поколения).
Добавим, что недавно был установлен новый рекорд разгона памяти DDR4. Используя жидкий азот, системную плату ASRock Z170M OC Formula, модули Teamgroup Tforce DDR4 и процессор Intel Core i7-7700K, энтузиасты смогли разогнать память до 5280 МГц.
Источник:https://3dnews.ru/950787

 

[Administrator]

[shadow=blue]LITEON выпустила новые SSD-накопители PH5[/shadow]
Компания LITEON когда-то славилась недорогими, но достаточно надёжными пишущими приводами CD-R/DVD-R, но эра этих устройств практически подошла к концу и сейчас LITEON успешно выпускает недорогие серии твердотельных накопителей. Не столь давно она представила серию CV5 на базе планарной TLC NAND, а сейчас в производство пошла новая серия PH5.
Посмотреть вложение 1
Новые накопители отличаются толщиной всего 7 мм и предлагаются пока только в двух ёмкостях — 120 и 240 Гбайт. В них используется TLC NAND производства Toshiba. Это не могло не сказаться на скоростных характеристиках: если линейные скорости у старшей модели составляют вполне приличные 550 Мбайт/с на чтение и 490 Мбайт/с на запись, то скорости на случайных операциях, измеряемые почему-то в мегабайтах в секунду, составляют лишь 280 и 330 Мбайт/с соответственно. У младшей модели скорость случайного чтения и вовсе равна 170 Мбайт/с.

Таким образом, перед нами накопители начального уровня. Впрочем, они поддерживают TRIM, SMART, NCQ, ATAPI-8. О продвинутых методах кодирования не сказано ничего, но заявлены 1,5 миллиона часов наработки на отказ и трёхлетняя гарантия производителя. Габариты новых накопителей LITEON стандартны для любого устройства формата 2,5?, разве что они отличаются толщиной 7 мм и прекрасно войдут туда, куда уже не войдут накопители более старого стандарта с толщиной корпуса 9,5 мм.
Источник: https://3dnews.ru/950811

 

[Administrator]

[shadow=blue]SK Hynix продемонстрировала первые пластины GDDR6[/shadow]
О новом поколении памяти GDDR мы писали не так давно. Компания SK Hynix, один из ведущих производителей DRAM-устройств в мире, заявила, что массово GDDR6, а именно такой порядковый номер получило очередное поколение графической видеопамяти, будет производиться уже к началу следующего, 2018 года. Похоже, руководство SK Hynix состоит из реалистов — на конференции GTC 2017, проходящей на этой неделе, компания продемонстрировала первые кремниевые пластины с кристаллами GDDR6.
Посмотреть вложение 2
Речь идёт о вполне рабочих образцах, а не о муляжах. Первые микросхемы GDDR6 имеют ёмкость 8 Гбит (1 Гбайт), но в документации упоминаются модели и ёмкостью 16 Гбит (2 Гбайт). Так же, как и в случае с GDDR5X, речь идёт о скоростях выше, нежели у текущего поколения GDDR5. На сегодня быстрейшие чипы GDDR5X работают на скорости до 12 Гбит/с (это Micron MT58K256M321JA-120), но самый быстрый вариант GDDR6 будет быстрее ещё на 4 Гбит/с и, таким образом, станет ровно вдвое быстрее массовых микросхем GDDR5.
Посмотреть вложение 1
Достаточно простой пример: если будущий аналог GeForce GTX 1070 получит память GDDR6, то в нехватке ПСП его обвинить будет уже нельзя — этот показатель достигнет 512 Гбайт/с против имеющихся на сегодня 256 Гбайт/с. Такие цифры ранее демонстрировала только многослойная память типа HBM, с производством которой имеются свои проблемы — сложность, высокая себестоимость, необходимость интеграции с основным кристаллом посредством хрупкой подложки (т. н. интерпозер). Впрочем, если даже будущие карты серий GeForce GTX 2060 и 2070 получат более медленную версию GDDR6, пропускная способность видеопамяти при 256-битной шине доступа останется достаточно высокой.

И NVIDIA не является единственным разработчиком графических решений, заинтересованным в скорейшем появлении на рынке новой версии GDDR — графическое подразделение AMD тоже, вероятнее всего, построит будущие решения среднего класса с использованием GDDR6 по причинам, упомянутым выше. Память HBM2, таким образом, какое-то время ещё останется уделом дорогих флагманских моделей и решений для рынка HPC.
Источник: https://3dnews.ru/952029

 

[Administrator]

[shadow=blue]SK Hynix разрабатывает 96- и 128-слойную 3D NAND[/shadow]
С подачи компании Samsung флеш-память начала расти ввысь, увеличивая ёмкость за счёт наращивания числа слоёв при неизменной (почти) площади кристалла. Сегодня Samsung и Toshiba освоили массовое производство 64-слойной памяти 3D NAND. Следующим шагом, вероятно, станет 80-слойная память, если опираться на ранее выбранный компаниями шаг наращивания числа слоёв от поколения к поколению. Также каждая из них успела сообщить, что к 2020 году они смогут выпускать 1-Тбит 100-слойные микросхемы 3D NAND. О подобных среднесрочных перспективах молчала только компания SK Hynix, но на днях наши коллеги с сайта Tom's Hardware прояснили ситуацию с перспективными планами этого южнокорейского производителя.

Сообщается, что SK Hynix последовательно перейдёт на выпуск 512-Гбит 96-слойной 3D NAND, а затем на производство 1-Тбит 128-слойной флеш-памяти. Произойдёт это через несколько лет, хотя перспективы появления 128-Гбайт кристалла энергонезависимой памяти впечатляют даже сейчас. Это означает появление относительно доступных 1-Тбайт SSD и общее увеличение производительности ноутбуков и настольных систем.

В настоящий момент компания SK Hynix готовит производство к массовому выпуску 256-Гбит 72-слойной 3D NAND TLC. Выпуск этой продукции намечен на вторую половину года. Старт массового производства 72-слойной памяти компания обещала начать ещё весной, но этого, к сожалению, не произошло. Тем самым появились опасения, что SK Hynix также не выполнит другое обещание — начать массовый выпуск 512-Гбит 72-слойной памяти в конце текущего года. Можно предположить, что в конце года нам сообщат лишь о разработке технологии выпуска этих микросхем, а массовое производство начнётся весной.

Кстати, 96-слойная память также заявлена в виде 512-Гбит решений, что ставит под сомнение целесообразность налаживания выпуска 512-Гбит 72-слойной 3D NAND. Интересно, означает ли это, что выпуск 96-слойной 3D NAND компания SK Hynix сможет начать скорее раньше, чем позже?

 

[Administrator]

[shadow=blue]Память DDR4 удалось разогнать до эффективной частоты 5500 МГц — это новый мировой рекорд[/shadow]
Посмотреть вложение 4
Компания G.Skill, хорошо известная в кругу энтузиастов благодаря своей быстрой и эффектной памяти, ориентированной на оверлокеров, с гордостью сообщила о новом мировом рекорде разгона оперативной памяти DDR4, установленном, естественно, при помощи ее модулей. Говоря более конкретно, используя жидкий азот, одиночный модуль памяти G.Skill (Trident Z RGB DDR4) на чипах DDR4 плотностью 8 Гбит производства Samsung удалось разогнать до знаковой отметки в 2750 (5500) МГц.
Посмотреть вложение 3
Рекорд был утвержден HWBot, и теперь занимает первую строчку рейтинга разгона оперативной памяти.
Посмотреть вложение 2
Автор рекорда – известный тайваньский мастер экстремального разгона Toppc. Разгон происходил на материнской плате MSI X299 GAMING PRO CARBON AC, в которую был установлен недавно вышедший процессор Intel Core i7-7740K (Kaby Lake-X) с одним активным ядром из четырех, частота которого была повышена до 1064,46 МГц (использовалось сочетание 133,06 МГц по шине и множитель х8), и включенной технологией Hyper-Threading.
Посмотреть вложение 1
Кстати, самого производителя G.Skill есть за что хвалить, ведь именно эта марка использовалась в пятнадцати из двадцати лучших результатов разгона.

Добавим, что в прошлом году незадолго до выставки Computex 2016 тайванец Toppc первым взял психологически важный рубеж в 5000 МГц. Тогда, кстати, тоже использовалась память G.Skill Trident Z DDR4, разгонять которую помогали материнская плата MSI Z170I Gaming Pro AC с процессором Intel Core i5-6600K и жидкий азот.

Интересно, долго ли продержится новый рекорд и когда будет взята планка в 6000 МГц?

 

[Administrator]

[shadow=blue]Toshiba представила жёсткие диски AL14SX со скоростью вращения шпинделя 15 000 об/мин[/shadow]
Toshiba Corporation's Storage & Electronic Devices Solutions Company анонсировала жёсткие диски AL14SX Series, предназначенные для использования в системах корпоративного класса.
Посмотреть вложение 1
Новые устройства хранения данных выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе. Скорость вращения шпинделя составляет 15 000 оборотов в минуту. Таким образом, винчестеры подходят для установки в высокопроизводительные серверы и системы с большой интенсивностью чтения/записи данных.

Для подключения применяется Serial Attached SCSI (SAS) — последовательный компьютерный интерфейс, обеспечивающий пропускную способность до 12 Гбит/с.

В серию AL14SX вошли жёсткие диски вместимостью 300, 600 и 900 Гбайт. Пробные поставки устройств уже начались, массовое производство стартует в ближайшее время.

Нужно отметить, что в семействе AL14SX Series имеются модели с поддержкой технологии Sanitize Instant Erase (SIE, полное мгновенное удаление данных). C помощью этой функции можно защитить данные от непреднамеренного раскрытия в случае перемещения жёстких дисков в другие системы или за пределы центра обработки данных.

О цене новинок пока, к сожалению, ничего не сообщается.

 

[Administrator]

[shadow=blue]ReRAM 4DS такая же быстрая, как DRAM[/shadow]
Молодая австралийская компания 4DS Memory Limited продолжает совершенствовать энергонезависимую память типа ReRAM (резистивную с произвольным доступом). К сегодняшнему дню представлено достаточно много вариантов резистивной памяти. Некоторые даже склонны видеть ReRAM в памяти Intel 3D XPoint, хотя последняя использует ячейку с изменяемым фазовым состоянием вещества.
Большинство версий ReRAM, если мы говорим о ячейке с изменяемым сопротивлением, опираются на такое явление, как обратимое создание в структуре рабочего слоя ячейки устойчивых токопроводящих нитей из ионов меди, серебра или других металлов. Ячейка ReRAM компании 4DS Memory работает по другому принципу. Она полностью меняет своё сопротивление под воздействием тока сразу во всём рабочем слое. Технология так и называется «Interface Switching ReRAM», а запатентованная ячейка носит название MOHJO (Metal Oxide Hetero Junction, металл оксидный переход с противоположными состояниями).
Посмотреть вложение 2
Общая проблема памяти ReRAM, утверждают в компании 4DS Memory, заключается в слишком больших задержках в режимах чтения. Это не позволяет ReRAM стать полноценным заменителем памяти типа DRAM и привнести в работу оперативной памяти энергонезависимость. Суть проблемы в том, что образование токопроводящих нитей в ячейке ReRAM несколько непредсказуемо, что связано с неоднородностями в материале рабочего слоя. Утрируя, всегда что-то может пойти не так. Во-первых, для гарантированного образования ионизированных каналов потребуется увеличить рабочий ток. Во-вторых, существенно усложнить механизмы коррекции ошибок. Последнее ведёт к существенным задержкам в процессе восстановления данных.
Посмотреть вложение 1
Память 4DS ReRAM свободна от «случайностей» в процессе работы с ячейками памяти. Рабочий слой ячейки 4DS полностью переключается из одного состояния в другое и не зависит от возможных неоднородностей. Это устраняет необходимость в корректировке рабочих токов (уменьшает разброс параметров) и ведёт к очень простому механизму коррекции ошибок без заметных задержек. Испытания показали, что по скорости работы память 4DS ReRAM приближается к скорости работы оперативной памяти DRAM.

И что нам с этой разработки малоизвестной австралийской компании, спросят читатели? Дело в том, что с компанией 4DS Memory несколько лет подряд тесно работает подразделение Hitachi GST компании Western Digital. Более того, между Hitachi GST и 4DS Memory заключено стратегическое соглашение о партнёрстве, что позволяет рассчитывать на относительно скорое появление ReRAM в виде коммерческих продуктов. Произойдёт это не завтра, но в течение трёх–пяти лет можно ожидать появления первых продуктов на основе ReRAM.

 

[Administrator]

[shadow=blue]G.SKILL рассказала о модулях памяти DDR4 для платформы Intel X299 HEDT[/shadow]
Компания G.SKILL International Enterprise раскрыла спецификации модулей оперативной памяти DDR4 для аппаратной платформы Intel X299 HEDT.
Посмотреть вложение 1
Решения предназначены для использования в системах на основе процессоров Intel Core X-Series и материнских плат с набором логики X299. О некоторых таких изделиях можно узнать в нашем материале.
Итак, сообщается, что для платформы Intel X299 HEDT будут выпущены комплекты из двух модулей DDR4-4400 объёмом 8 Гбайт каждый. Тайминги — CL19-19-19-39. Отмечается, что новые модули войдут в серии Trident Z RGB и Trident Z Black.
Кроме того, G.SKILL предложит ряд наборов памяти в конфигурации 4 ? 8 Гбайт, 8 ? 8 Гбайт, 4 ? 16 Гбайт и 8 ? 16 Гбайт. Частота таких решений варьируется от 3600 до 4200 МГц. Напряжение питания составляет 1,35–1,40 В. С таймингами можно ознакомиться в следующей таблице:

Добавим, что компания G.SKILL недавно объявила о том, что её модули оперативной памяти позволили установить новый рекорд разгона DDR4: достигнута частота в 5500 МГц. Разгону подвергся единственный модуль Trident Z RGB DDR4 ёмкостью 8 Гбайт. В ходе эксперимента для охлаждения использовался жидкий азот.

 

[Administrator]

[shadow=blue]Micron сменила убыток на прибыль в $1,7 млрд благодаря дорожающей DRAM-памяти[/shadow]
Компания Micron Technology вернулась к большой прибыли благодаря растущим ценам на DRAM-память, которая пользуется всё более высоким спросом со стороны производителей смартфонов и оборудования для облачных дата-центров.
В третьем финансовом квартале, завершившемся 1 июня 2017 года, Micron получила чистую прибыль в размере $1,65 млрд, тогда как годом ранее имели место равные $215 млн чистые убытки. Выручка компании подскочила вдвое, достигнув $5,57 млрд.
Посмотреть вложение 1
Без учёта ряда нерегулярных расходов и доходов (на скорректированной основе) прибыль Micron составила $1,62 на акцию, в то время как опрошенные Thomson Reuters I/B/E/S аналитики прогнозировали показатель на уровне $1,51 при выручке в $5,41 млрд.
Комментируя квартальную отчётность, генеральный директор Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra) отметил, что компания ожидает сильные показатели в 2018 финансовом году благодаря позитивным тенденциям на рынках дата-центров и мобильных устройств. Выручка Micron от клиентов–поставщиков облачных услуг подскочила более чем в четыре раза, заявил топ-менеджер.

Растущий спрос на память, которую производит Micron и конкуренты, порождает дефицит, что, в свою очередь, приводит к росту цен. В марте–мае 2017 года чипы оперативной памяти (DRAM), которые приносят американской компании более 60 % доходов, подорожали на 14 %, что также положительно сказалось на финансовых результатах вендора.

 

[Administrator]

[shadow=blue]Colorful представила твердотельные накопители в форматах М.2 и 2,5 дюйма[/shadow]
Компания Colorful анонсировала твердотельные (SSD) устройства хранения данных серий CN600, CN500 и SL500, которые рассчитаны на массовый рынок.
Посмотреть вложение 3
Решения семейства CN600 выполнены в форм-факторе M.2 2280. Говорится об использовании контроллера Realtek RTS5760, рассчитанного на работу по шине PCI Express 3.0 x2. Применены микрочипы флеш-памяти TLC NAND. Заявленная скорость чтения информации достигает 800 Мбайт/с, скорость записи — 700 Мбайт/с. Предусмотрен охлаждающий радиатор.
Посмотреть вложение 2
Изделия серии CN500 также имеют типоразмер M.2 2280. Но при этом применён контроллер Silicon Motion SM2246EN. Основой служат микрочипы MLC NAND. Скорость чтения и записи данных достигает соответственно 530 и 250 Мбайт/с.
Посмотреть вложение 1
Наконец, накопители SL500 выполнены в 2,5-дюймовом форм-факторе: толщина корпуса составляет 7 мм. Использованы контроллер Silicon Motion SM2256 и микрочипы флеш-памяти TLC NAND. Скорость чтения информации достигает 530 Мбайт/с, скорость записи — 450 Мбайт/с. Для подключения к компьютеру служит стандартный интерфейс Serial ATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с.

Все накопители выпускаются в версиях вместимостью до 240 Гбайт. Информации о цене новинок пока, к сожалению, нет.

 

[Administrator]

[shadow=blue]В августе ADATA начнёт продажи накопителей SU900 ёмкостью 128 Гбайт[/shadow]
ADATA продолжает активно расширять ассортимент твердотельных накопителей, изготавливая одну новинку за другой. Одной из последних моделей является Ultimate SU900, выполненная в формфакторе 2,5" с флеш-памятью 3D MLC NAND, что обеспечивает высокую скорость обработки данных и повышенную надёжность работы. ADATA Ultimate SU900 в настоящее время является наиболее распространённым накопителем на MLC 3D V-NAND.
Посмотреть вложение 1
В августе этого года ADATA планирует начать продажи SU900 ёмкостью 128 Гбайт, ориентируясь на покупателей с ограниченным бюджетом, которые ищут недорогую альтернативу моделям с высокой стоимостью. Отметим, что ранее на российский рынок поставлялись модели с ёмкостью лишь в 256 и 512 Гбайт. Следует отметить, что стоимость новой модели на данный момент пока неизвестна. Теперь у потребителей будет больше возможностей в выборе накопителя в зависимости от своих целей — будь то загрузочный диск ОС или накопитель для записи с большим объёмом информации. Напомним, что накопитель SU900 имеют 5-летнюю гарантию. Заявленная скорость передачи информации SU900 достигает 550 Мбайт/с. Благодаря использованию флеш-памяти 3D MLC NAND, все модели накопителя SU900 обеспечивают произвольную скорость чтения/записи до 40 тыс./90 тыс. IOPS.

Добавим, что ADATA также недавно выпустила твердотельные накопители XPG GAMMIX S10 PCIe Gen3x4 M.2 2280 серии 2280, которые предназначены для использования в мощных игровых компьютерах и системах корпоративного класса. Заявленная скорость чтения информации у них достигает 1800 Мбайт/с. Запись данных может осуществляться со скоростью до 850 Мбайт/с.

 

[Administrator]

[shadow=blue]Toshiba TR200: SSD-накопители на основе памяти 3D TLC NAND для потребительского рынка[/shadow]
Корпорация Toshiba анонсировала семейство твердотельных (SSD) накопителей TR200, рассчитанных на использование в персональных компьютерах — настольных системах и ноутбуках.
Посмотреть вложение 1
В основу изделий положены 64-слойные микрочипы флеш-памяти 3D NAND, выполненные по технологии TLC (три бита в одной ячейке). Устройства соответствуют формату 2,5 дюйма; габариты составляют 100,0 ? 69,9 ? 7,0 мм.
Для подключения к ПК применяется стандартный интерфейс Serial ATA 3.0 с пропускной способностью до 6 Гбит/с. Накопители обеспечивают скорость чтения информации до 550 Мбайт/с и скорость записи до 525 Мбайт/с. Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) достигает 80 тыс. при произвольном чтении и 87 тыс. при произвольной записи.

В семейство Toshiba TR200 вошли модели вместимостью 240, 480 и 960 Гбайт. Средняя заявленная наработка на отказ составляет 1,5 млн часов.
Новые накопители позиционируются в качестве альтернативы традиционным жёстким дискам при апгрейде персональных компьютеров. Продажи решений Toshiba TR200 начнутся предстоящей осенью. Информации об ориентировочной цене пока, к сожалению, нет.

 

[Administrator]

[shadow=blue]Нехватка чипов памяти отразилась на продажах Transcend[/shadow]
Компания Transcend Information, которая среди прочей продукции выпускает разного рода накопители, предупредила о сохраняющейся нехватке чипов памяти. Дефицит микросхем негативно влияет на бизнес вендора, о чём свидетельствуют данные за второй квартал 2017 года.
По итогам этого периода Transcend выручила NT$5 млрд ($165,5 млн), что на 6,3 % меньше, чем годом ранее.
Посмотреть вложение 1
В компании ожидают, что проблемы с поставками памяти DRAM и NAND flash останутся в третьем квартале, в результате чего контрактные цены на эту продукцию продолжат расти.
По данным аналитиков IC Insights, с третьей четверти 2016 года по середину 2017-го средняя стоимость DRAM-памяти увеличилась на 16,8 %, а на рынке NAND flash подорожание составило в среднем 11,6 %.
Прибыль Transcend увеличивается благодаря смещению акцента в сторону нишевых продуктов. Около 43,6 % квартальной выручки тайваньской компании пришлось на продажи промышленных решений. Доли DRAM-продуктов и потребительских флеш-накопителей составили примерно по 19 %. Так называемые стратегические изделия принесли вендору 18,5 % доходов.

В апреле–июне 2017 года операционная прибыль Transcend достигла NT$930 млн ($30,8 млн), увеличившись на 33,8 % относительно аналогичного периода 2016-го.
Источник: https://3dnews.ru/956529

 

[Administrator]

[shadow=blue]В июле закупочные цены на модули памяти для ПК выросли на 4,6%[/shadow]
Если где-то в Юго-Восточной Азии случаются наводнение, землетрясение, выброс чего-то нехорошего на производстве или какой-то иной катаклизм локального масштаба, то к гадалке можно не ходить — цены на память, жёсткие диски или другие комплектующие начнут расти ускоренными темпами. В июле мы заблаговременно предупредили, что выброс азота на одном из тайваньских заводов компании Micron привёл к остановке производства памяти, что дополнительно поднимет цены на модули DRAM и даже микросхемы LPDDR. Сегодня аналитики компании TrendForce подсчитали, что остановка производства Micron плюс ряд других объективных факторов всего за месяц привели к росту цен на память на 4,6 %.
Посмотреть вложение 2
Если учесть, что с первого по второй квартал закупочные цены на микросхемы памяти выросли примерно на 10 %, то скачок за месяц (с июня по июль) на 4,6 % может считаться событием, нарушающим тенденцию. К середине июля компания Micron восстановила производство на заводе N2 (Fab-2) в полном объёме. Чистые потери от простоя составили 30 тысяч пластин и ещё 20 тысяч пластин были загрязнены в процессе выброса газа и впоследствии уничтожены. Если в течение августа Micron тем или иным способом не компенсирует недостачу, закупочные цены на память будут расти сильнее ожидаемого.
Посмотреть вложение 1
На второй квартал 2017 года, отмечают аналитики TrendForce, сложилась казусная и опасная ситуация. Цены на 4-Гбит микросхемы DDR4 (для ПК) впервые в истории превысили стоимость до этого всегда более дорогой 4-Гбит мобильной памяти LPDDR4. Оптовая стоимость микросхем DDR4 и LPDDR4 стала сближаться с начала текущего года. До этого память для ПК была вдвое и даже больше дешевле мобильной памяти для смартфонов и планшетов. Пользователей ПК это точно не обрадует, хотя эта ситуация способствует проникновению в ПК и ноутбуки памяти LPDDR4, благо современные процессоры Intel поддерживают память типа LPDDR4.

В первом квартале 2017 года закупочная стоимость 4-Гбайт модулей DDR4 последовательно выросла на 40 % и достигла $24. Во втором квартале модули памяти подорожали ещё на 10 % — до $27. В третьем квартале, похоже, оптовые закупочные цены на 4-Гбайт модули DDR4 преодолеют отметку в $30. В том, что это произойдёт, можно не сомневаться. В пересчёте на биты ориентировочный рост производства памяти в 2017 году ожидается на уровне 19,5 %, тогда как рост спроса на память за этот же период ожидается на уровне 22 %. В предыдущие годы, для сравнения, прирост производства памяти в битах находился на уровне 25 % в год. Иными словами, дефицит продолжит вносить свои коррективы в ценообразование на рынке памяти во всех её проявлениях.

 

[Administrator]

[shadow=blue]Micron продаёт бренд Lexar[/shadow]
Американский производитель чипов памяти Micron сообщил о продаже активов, связанных с брендом Lexar, под которым выпускались сменные накопители и кардридеры.
Этот бизнес покупает китайская компания Shenzhen Longsys Electronics, специализирующаяся на разработке устройств для хранения данных (SSD, USB-флешки и др. ). Финансовые условия сделки не раскрываются.
Посмотреть вложение 1
Компания Lexar Media отделилась от Cirrus Logic в 1996 году, в 2006-м она была приобретена Micron. В Longsys обещают сохранить бренд Lexar на рынке.
«Для нас большая честь приобрести бренд Lexar, — комментирует глава Longsys Хуабо Цай (Huabo Cai). — Действующие клиенты могут быть уверены в том, что инновационные решения и превосходная поддержка, которые они получали от Lexar, останутся».
Ещё в июне 2017 года Micron объявила об отказе от бренда Lexar и планах сосредоточиться на более дорогих рынках со стабильным ростом.

Как сообщает издание DigiTimes со ссылкой на отраслевые источники, приобретение Lexar позволит Longsys запустить собственный бренд, который, правда, может оказать негативное влияние на отношения с нынешними китайскими клиентами на потребительском рынке флеш-накопителей.

 

[Administrator]

[shadow=blue]Анонсирована карта microSD SanDisk Ultra емкостью 400 ГБ[/shadow]

Western Digital Corporation анонсировала самую емкую на данный момент карту памяти microSD для использования в мобильных устройствах – SanDisk Ultra microSDXC UHS-I емкостью 400 ГБ. Новинка рассчитана на пользователей смартфонов и планшетов, которые нуждаются в емком дисковом пространстве для установки большого количества приложений, съемки множества фото и видео, а также хранения и прослушивания любимой музыки. К примеру, некоторые анонсированные устройства уже обладают поддержкой карточек microSD емкостью до 2 ТБ, хотя на рынке решений с таким объемом пока просто не существует.

Новинка обладает скоростью передачи данных до 100 МБ/с (эквивалентно показателю в 1200 фотографий в минуту) и соответствует сертификату App Performance Class A1, а это значит, что карта памяти позволяет хранить приложения и запускать их с хорошей скоростью.

400-ГБ карта SanDisk Ultra microSDXC UHS-I получит ценник в $250 и будет поставляться с 10-летней ограниченной гарантией от производителя.

 

[Administrator]

[shadow=blue]Модули памяти GeIL Super Luce RGB Sync наделены подсветкой[/shadow]
Компания GeIL анонсировала модули и комплекты оперативной памяти Super Luce RGB Sync стандарта DDR4, рассчитанные на использование в игровых настольных компьютерах.

Как можно понять по названию, изделия наделены многоцветной подсветкой. Пользователи смогут синхронизировать её работу с подсветкой материнской платы, светодиодных лент и графических ускорителей.
Посмотреть вложение 2
В семейство Super Luce RGB Sync входят модули с частотой от 2133 до 3200 МГц. Доступны комплекты суммарной ёмкостью 8 и 16 Гбайт в виде двух модулей на 4 или 8 Гбайт.
Посмотреть вложение 1
Напряжение питания в зависимости от модификации составляет 1,2 или 1,35 В. С таймингами можно ознакомиться в следующей таблице:

Модули памяти оснащены радиатором для отвода тепла. Изделия будут предлагаться в двух вариантах цветового исполнения — белом и чёрном.
Информации об ориентировочной цене на данный момент, к сожалению, нет.

 

[Administrator]

[shadow=blue]Corsair представила свой самый быстрый комплект памяти DDR4[/shadow]
Компания Corsair анонсировала свои самые высокопроизводительные комплекты оперативной памяти стандарта DDR4 — решения семейства Black Vengeance LPX.
Посмотреть вложение 1
Набор под обозначением CMK16GX4M2F4600C19 включает два модуля ёмкостью 8 Гбайт каждый. Таким образом, суммарная ёмкость составляет 16 Гбайт. Частота — 4600 МГц. Изделия функционируют при напряжении питания 1,5 В. Тайминги — CL19-26-26-46.
Кроме того, анонсирован комплект Black Vengeance LPX с частотой 4500 МГц (обозначение CMK16GX4M2F4500C19). В этот набор также входят два модуля ёмкостью 8 Гбайт каждый. Напряжение питания составляет 1,45 В. Тайминги — CL19-19-19-39.

Комплекты рассчитаны на использование в мощных игровых системах, настольных компьютерах топового уровня, а также в ПК для энтузиастов. Память поддерживает технологию XMP, благодаря чему облегчается разгон.
На оперативную память предоставляется пожизненная гарантия. Комплект с частотой 4500 МГц уже доступен для заказа по ориентировочной цене 480 долларов США. Набор с частотой 4600 МГц поступит в продажу 21 сентября по цене около 550 долларов.

 

[Administrator]

[dropshadow=blue]GeIL Super Luce RGB Lite DDR4: модули памяти с многоцветной подсветкой[/dropshadow]
Компания GeIL анонсировала модули и комплекты оперативной памяти Super Luce RGB Lite DDR4, рассчитанные на использование в игровых настольных компьютерах.
Посмотреть вложение 1
Изделия оснащены многоцветной RGB-подсветкой. При этом, в отличие от решений серии Super Luce RGB Sync, не поддерживается синхронизация с другими компонентами компьютера.
Модули Super Luce RGB Lite DDR4 будут предлагаться в белом и чёрном вариантах цветового исполнения. Предусмотрен радиатор для отвода тепла.

В новом семействе представлены изделия с частотой 2133, 2400, 2666, 2800 и 3000 МГц. Напряжение питания в зависимости от модификации составляет 1,2 или 1,35 В.

Серия Super Luce RGB Lite DDR4 включает модули ёмкостью 4, 8 и 16 Гбайт. Покупателям также будут доступны комплекты суммарным объёмов 8 Гбайт (2 ? 4 Гбайт), 16 Гбайт (2 ? 8 Гбайт) и 32 Гбайт (2 ? 16 Гбайт).
Компания GeIL будет предлагать изделия для компьютеров на процессорах Intel и AMD. Память обеспечивается пожизненной гарантией.

В продажу модули и комплекты оперативной памяти Super Luce RGB Lite DDR4 поступят в ближайшее время. О цене не сообщается.

 

[Administrator]

[dropshadow=blue]Модули памяти G.SKILL Trident Z RGB DDR4 рассчитаны на платформу AMD[/dropshadow]
Компания G.SKILL анонсировала модули и комплекты памяти Trident Z RGB стандарта DDR4, рассчитанные на использование в настольных компьютерах на платформах AMD Ryzen и Ryzen Threadripper.
Посмотреть вложение 1
В семейство входят модули ёмкостью 8 и 16 Гбайт. Как можно догадаться по названию, они оснащены RGB-подсветкой. Кроме того, предусмотрен радиатор для эффективного отвода тепла при высоких нагрузках.
Память будет предлагаться в модификациях с частотой 2400, 2933 и 3200 МГц. Напряжение питания в зависимости от модификации составляет 1,2 или 1,35 В.
G.SKILL предложит комплекты Trident Z RGB DDR4 суммарной ёмкостью 16 Гбайт (2 ? 8 Гбайт), 32 Гбайт (4 ? 8 Гбайт или 2 ? 16 Гбайт), 64 Гбайт (8 ? 8 Гбайт или 4 ? 16 Гбайт), а также 128 Гбайт (8 ? 16 Гбайт).
С основными характеристиками комплектов G.SKILL Trident Z RGB DDR4 и таймингами можно ознакомиться в следующей таблице:

Ожидается, что в продажу память поступит в следующем месяце. О цене решений информации на данный момент, к сожалению, нет.